RF GaN半导体器件市场研究报告：按材料（SiC上的GaN、硅上的GaN和金刚石上的GaN）、应用（无线基础设施、电源存储、卫星通信、光伏逆变器等）、最终用户（航空航天和国防、IT和电信、消费电子、汽车等）和地区（北美、欧洲、亚太和世界其他地区）-预测至2027年

市场简介

全球射频GaN半导体器件市场估计达到到2025年16.0723亿美元,注册一个20.3%的复合年增长率在预测期内2019–2025.

射频GaN是电力电子应用的新兴技术之一，需要高功率密度射频性能。有各种产品和服务使用基于射频的功率放大器在他们的发射电路。GaN具有较大的带隙，因此GaN材料具有较高的击穿场，使得GaN器件能够在比一般半导体器件更高的电压下工作。

射频氮化镓半导体器件在手机、广播电视、核磁共振成像机、雷达、空间和卫星通信以及无线通信等无线基础设施中起着至关重要的作用军事通信. 此外，在预测期内，IT和电信设备对RF GaN器件的需求增长是市场的关键驱动因素。目前，氮化镓（GaN）已广泛应用于射频（RF）和微波应用中，以提高各种器件的性能。GaN的效率比横向扩散MOSFET（LDMOS）高近10%，这有助于在600W或更高功率水平下显著节能，这被认为是推动市场的主要因素。此外，公司正在大力投资开发各种应用的创新设备。例如，NXP半导体公司在RF GaN半导体器件的帮助下开发了各种无线应用，如HF（高频）、VHF（甚高频）和UHF（超高频）雷达（1–1000 MHz）、S波段雷达、航空电子设备和L波段雷达。

分割

全球射频氮化镓半导体器件市场已根据材料、应用、最终用户和地区进行细分。

按材料划分，市场分为GaN-On-Sic、GaN-On-Silicon和GaN-On-Diamond。

按应用细分为无线基础设施、电力存储、卫星通信、光伏逆变器等

按终端用户划分，市场分为航空航天和国防、IT和电信、消费电子、汽车等

按地区划分，市场分为北美、欧洲、亚太和世界其他地区。

2017-2024年全球RF GaN半导体器件市场(十亿美元)

来源:MRFR网站

区域分析

全球射频GaN半导体器件市场预计将在2019年至2024年的预测期内以显著的速度增长。射频的地理分析氮化镓半导体器件进行了北美(美国、加拿大和墨西哥),欧洲(英国、德国、法国、西班牙、意大利和欧洲其他国家),亚太地区(中国、日本、印度和其他亚太地区),和世界上的其他国家(中东和非洲和南美洲)。

预计企业在5G技术开发方面的投资不断增加将进一步促进市场增长。例如，根据爱立信2019年6月的移动报告，到2025年底，全球5G注册用户预计将超过26亿，这将在预测期内推动全球市场的增长。北美占最大的市场份额在2018年因存在各种操作的最大跨国公司在市场上如雷声公司、克里族,inc .)和模拟设备公司,为终端用户提供设备包括军事和国防,它与电信、消费电子产品等。企业对5G技术的投资增加，是推动该地区RF GaN半导体器件市场的主要因素之一。北美被划分为美国、加拿大和墨西哥

关键球员

MRFR认可全球射频GaN半导体器件市场的主要参与者为住友电机工业有限公司(日本)、雷神公司(美国)、罗伯特博世公司(德国)、意法半导体公司(法国)、日立公司(日本)、东芝公司(日本)、三菱电机公司(日本)、英飞凌技术公司(德国)、瑞萨电子公司(日本)、松下公司(日本)、Microchip Technology(美国)、Aethercomm Inc.(美国)、Cree Inc.(美国)、NXP Semiconductor(荷兰)、Analog Devices Inc.(美国)、ROHM Semiconductors(日本)、Qorvo Inc.(美国)、等等。

卓越的公司不断创新和投资于研发，以呈现具有成本效益的产品组合。最近，主要企业之间进行了兼并和收购，企业实体利用这一战略来加强对客户的接触。

目标受众

• 军事和国防


• 投资者和顾问


• 系统集成商


• 政府组织


• 研究/咨询公司


• 制造商


• 安全解决方案提供商


• 行业


• 精力与力量玩家


• 餐饮服务


• 汽车

报告范围:

报告属性/指标	细节
市场规模	1607 .23百万美元
CAGR	20.3%
基准年	2019
预测期	2020 - 2027
历史数据	2018
预测单位	价值（百万美元）
报告覆盖	收入预测、竞争格局、增长因素和趋势
部分覆盖	材料、应用、最终用户
区域覆盖	北美、欧洲、亚太和世界其他地区（世界其他地区）
关键供应商	住友电机工业有限公司(日本)、雷神公司(美国)、罗伯特博世公司(德国)、意法半导体公司(法国)、日立公司(日本)、东芝公司(日本)、三菱电机公司(日本)、英飞凌技术公司(德国)、瑞萨电子公司(日本)、松下公司(日本)、Microchip Technology(美国)，Aethercomm Inc.(美国)，Cree, Inc.(美国)，NXP Semiconductor(荷兰)，Analog Devices Inc.(美国)，ROHM Semiconductors(日本)，Qorvo Inc.(美国)
关键市场机会	企业对5G技术开发的投资不断增加。
主要市场驱动因素	IT和通信设备对射频GaN器件的需求不断增加。 IT和通信设备生产中对射频GaN器件的需求增加。

分析师说话 要求定制

常见问题（FAQ）：

---