MRFR新闻发布/市场研究未来发布了一份关于全球射频GaN半导体器件市场的半熟研究报告。
市场简介
市场研究未来（MRFR），研究了Covid危机对评估期的全球RF GAN半导体器件市场的影响。根据MRFR研究，RF GAN半导体市场可能会在2019-2025期预测期结束时触及1,607.23 MN。RF GaN半导体市场可能会在评估期间的20.3％复合中茁壮成长。
RF GaN半导体器件在用于开发手机，空间和卫星通信，电视广播，广播，雷达，MRI机器和军事通信的无线基础设施中的作用，可以提高研究时期的RF GAN市场的扩展。此外，在生产IT和电信设备的生产中增加了对RF GAN设备的需求，可以在预测期间扩展全球市场的驾驶员。
氮化镓（GaN）在微波应用和射频（RF）中的广泛效用，以提高不同设备的生产率，可以在审查期间促进GaN半导体市场的扩展。GaN实用程序在节省700W的功率水平或更高的高能量可以增加市场扩张。
此外，投资于提供各种应用的创新的公司可以支持在审查期间扩大市场。无线应用的引入，如VHF（非常高频），S波段雷达，UHF（超高频）雷达（1-1000MHz），HF（高频），L波段雷达和航空电子设备RF GaN半导体器件的帮助可以让市场上升。
市场细分
世界RF GAN半导体器件市场段研究基于应用，材料和最终用户。RF GaN半导体市场的基于材料的段是GaN-On-SiC和Gan-On-Silicon。Gan-On-Silicon的广泛应用可以在评估期间为市场获得相当大的牵引力。
基于应用的射频GaN半导体市场细分为电源存储、无线基础设施、卫星通信和光伏逆变器等。无线基础设施部门可以为GaN半导体市场带来可观的收入。
基于终端用户的射频GaN半导体市场包括IT和电信、汽车、消费电子、航空航天和国防等
访问报告详细信息@//www.bjtldsoft.com/reports/rf-gan-semiconductor-device-market-8664
详细的区域分析
随着北美发达地区的知名科技公司的投资增加，RF GaN半导体市场在评估期间也将快速增长。MRFR研究显示，美国有望引领该地区市场。该地区一些最大的跨国公司的存在，包括模拟设备公司、雷神公司和Cree公司，可以促进该地区市场的扩展。在欧洲，射频GaN市场的驱动因素也类似。此外，潜在终端用户、消费电子、军事和国防、IT和电信等对射频GaN半导体的高利用率可能在未来几年支撑欧洲射频GaN半导体市场。UIn亚太地区，电信公司为建立可行的5G技术基础设施而增加投资，可以促进RF GaN市场在评估期间的扩张。
关键球员
MRFR在RF GaN半导体器件全球市场注册了一些知名企业。他们是;罗伯特博世公司(德国)、雷神公司(美国)、住友电气工业有限公司(日本)、东芝公司(日本)、日立公司(日本)、意法半导体公司(法国)、瑞萨电子公司(日本)、英飞凌技术公司(德国)、松下公司(日本)、微芯片技术公司(美国)、三菱电机公司(日本)、Cree, Inc.(美国)、NXP Semiconductor(荷兰)、ROHM Semiconductors(日本)、Qorvo Inc.(美国)、Aethercomm Inc.(美国)和Analog Devices Inc.(美国)等。