市场概况
根据市场研究未来(MRFR)的最新预测,GAN半导体设备市场估计比预计(2018-2023)的复合年增长率为8%(2018-2023)。
由于其在不同的半导体设备中的使用情况,全球GAN半导体设备市场可能会吸引大量需求。由于低功耗和提高能源效率,预计它可以替代硅。对不同类型的无线通信的巨大技术进步和增加的需求很可能会迫使对节能系统的需求。根据最新通信技术的推出和制造商集中度,以改善最新和先进的GAN技术的标准,可以为市场提供新的机会。
COVID 19影响和效果
由于较大的制造单元的生产关闭,COVID-19大流行对GAN制造商的增长产生了疑惑。此外,由于大流行,对电子和汽车部门的需求暂时减少,因为它限制了疾病的传播,并涉足了市场的未来前景。估计各国之间的各种贸易紧张局势和关系会影响市场。
由于许多创新的政策旨在促进不同类型的混合动力和电动汽车的生产,因此2020年对电力半导体和电力IC的需求减少了。据估计,由于2021年对电力半导体的需求可以增加市场利益相关者的收入,因此估计各个国家的全球经济体对全球GAN设备制造商产生积极影响。公司的重新调整场景的主要发展是为了打击不可预见的事件。此外,预计无线和内政部申请的市场将在2021年恢复
2017 - 2023年全球GAN半导体设备市场(十亿美元)
市场动态
全球GAN半导体设备市场正在缓慢改善,因为甘恩材料的能源和电力应用的市场增长。这是由于LED,私家电池充电器和其他现代活动设备的集成增加。对无线通信和高带宽速度的需求正在上升。许多电信公司正在5G推出5G,以支持和备份该行业。GAN半导体非常适合切换设备。Macom和Qorvo正在研究GAN-on-SI半导体的开发,以满足对不同类型的节能设备的需求。
根据GAN设备制造商的说法,在预测期间,他们将拥有最大份额。该应用程序可以帮助管理层和决策者确保他们在整个产品生命周期中使用正确的资源和策略来努力实现正确的创新技术。它还通过最佳计划和促进资源和财务障碍来帮助改革资源。
希望北美地区在2016年拥有最大的市场份额,而APAC在CAGR上是下一个。有很多因素,例如改进和开发的IT基础设施,不断增长的互联网渗透以及支持该行业发展的现代设备的数量增加。
各种碳化硅(SIC)设备是对RF GAN设备的合适替换,这是因为对较长的电池寿命的需求和对高级技术的需求较高,以管理最新的高频和电压。即将到来的最新智能手机中对各种宽带技术的需求,例如检测精度定位,不同的跟踪和现代传感器数据收集,这些数据收集了,这些数据收集了,并推动了其需求并关闭了最新RF GAN行业的各种前景。
GAN半导体设备市场研究表明,根据最新技术,供应商正在创建主要的财务投资来开发产品和创新。GAN半导体设备的主要市场研究是,并专注于构建不同的开箱即用流程和应用程序,这些过程和应用程序可以立即利用集成的产品开发平台,以立即部署。它需要一个强大的技术生态系统,可以支持各种应用。
在氮化炮半导体设备市场中非常需要升级。需要连续创新。该行业需要开发更具创新的设备来对抗竞争。在2017 - 2023年的预测期内,全球GAN半导体设备市场预计将其增长率为21.6%。据估计,这项技术的受欢迎程度可以增强全球。
到处包括美国,加拿大,墨西哥,北美,德国,瑞典,波兰,丹麦,意大利,英国,法国,西班牙等各地,对氮化碳(GAN)半导体设备市场的需求日益增长。整个日本,美国,加拿大和墨西哥似乎拥有最大的市场。欧洲和亚太国家也挺身而出。现代创新方法正在加速GAN半导体设备市场的增长。
按销售渠道
预计全球GAN半导体设备市场将增加,而在预测期内,惊人的复合年增长率(CAGR)为24.5%。对综合gan的需求不断增加,供应链的适当管理以及快速采用物联网(IOT)正在帮助GAN半导体设备市场发展。
按应用程序:
分段分析:
氮化炮(GAN)半导体设备的市场分为晶圆尺寸,不同类型,现代设备和高端用户。
在各种类型的基础上,氮化炮的半导体设备再次分为不同的功率半导体,各种光电半导体和几个RF半导体。
不同的政府机构,合作伙伴和工业机构,投资者和贸易专家是与该行业有关的主要利益相关者。这个概念正在增强动力。它正在成为产品开发的重要组成部分。这是其日益普及的因素。
区域分析
根据全球分布,GAN半导体设备市场根据收入份额(即北美,亚太地区,欧洲和世界其他地区)分为四个不同的类别。
北美领先。由于其先进和现代的技术基础设施,美国拥有该地区最大的收入部分,并且预计许多大量制造商的存在将在预测期内发展。在北美地区之后,亚太地区在市场上显示出大幅增长。中国,台湾,日本和大韩民国是市场上其他著名国家,因为他们拥有不断促进这些市场的政府机构。
竞争格局
GAN半导体设备市场中的主要竞争对手是:
根据确定和验证几个细分市场和子细分市场的市场规模增长的过程,分为不同的类别。
GAN半导体设备市场专注于团队协作和客户关系管理。这些是市场上的主要未来趋势。GAN对于快速产品开发和放松多个地理位置的合作伙伴和制造商之间的协调至关重要。中小企业是经济的重要组成部分。对创新的需求不断,这也驱动了市场。
近期发展
报告概述
报告属性/度量 | 细节 |
---|---|
市场规模 | 250亿美元 |
CAGR | 8% |
基准年 | 2019 |
预测期 | 2020-2027 |
历史数据 | 2018 |
预测单元 | 价值(十亿美元) |
报告覆盖范围 | 收入预测,竞争格局,增长因素和趋势 |
细分市场覆盖 | 键入晶圆大小,按设备和最终用户键入 |
地理位置覆盖 | 北美,欧洲,亚太地区和世界其他地区(行) |
关键供应商 | RF Micro Devices Incorporated(美国),Fujitsu Ltd.(日本),Toshiba Corp.(日本),德克萨斯州Instruments Inc.(美国),Cree Incorporated(美国),Aixtron SE(德国),Mitsubishi Chemical Corporation(日本),Koninklijke飞利浦N.V.(荷兰),Gan Systems Inc.(加拿大)和Epigan NV(比利时) |
关键市场机会 | 提高最新和高级GAN技术的标准。 |
关键市场驱动力 |
常见问题(常见问题解答):
到2023年,全球GAN半导体设备市场估值预计将达到250亿美元。
从2017年到2023年,全球GAN半导体设备市场预计将以8%的复合年增长率扩大。
全球GAN半导体设备市场是由介电强度,开关容量和氮化壳高度工作温度驱动的。
由于高使用半导体设备,北美可以主导全球市场
Infineon Technologies, RF Micro Devices Corporation, Gallia Semiconductor, Koninklijke Philips N.V., NXP Semiconductors, Nichia Corporation, Osram Opto-semiconductors, Toshiba, ROHM Company Limited, Aixtron SE, Fujitsu Ltd, Panasonic Semiconductors, Texas Instruments, Qorvo, and Cree Incorporated are全球GAN半导体设备市场的主要参与者。